USSR SHOP »
Магазин » Решение 3 задач
Купить Решение 3 задач
Описание товара:
Задача №1.
Определить положение уровня Ферми относительно потолка середины запрещённой зоны в германиевом полупроводнике n-типа и концентрацию неосновных носителей, если известно, что концентрация донорной примеси в нем равно
Задача №2.
Какая доля от падающей световой интенсивности поглощается в слое полупроводника от освещаемой поверхности до точки , если известно, что длина свободного пробега фотона составляет , а коэффициент отражения от освещаемой поверхности равен 0,5?
Задача №3
Определить величину фотопроводимости кремниевого образца размерами при его освещении оптическим излучением интенсивностью из собственной полосы поглощения в предложении, что квантовая эффективность поглощения излучения полупроводника равна коэффициент поглощения излучения составляет а частота модуляции светового потока гармоническим сигналом составляет
Считать, что освещение проводится с узкой стороны образца, а регистрирующие контакты припаяны к широким торцам.
Контрольная работа №1
(Вариант № 4)
по дисциплине «Физические основы оптоэлектроники»
(Учебное пособие «Физические основы оптоэлектроники»,
Автор : В.Н. Давыдов
Томск - 2004 г.
Определить положение уровня Ферми относительно потолка середины запрещённой зоны в германиевом полупроводнике n-типа и концентрацию неосновных носителей, если известно, что концентрация донорной примеси в нем равно
Задача №2.
Какая доля от падающей световой интенсивности поглощается в слое полупроводника от освещаемой поверхности до точки , если известно, что длина свободного пробега фотона составляет , а коэффициент отражения от освещаемой поверхности равен 0,5?
Задача №3
Определить величину фотопроводимости кремниевого образца размерами при его освещении оптическим излучением интенсивностью из собственной полосы поглощения в предложении, что квантовая эффективность поглощения излучения полупроводника равна коэффициент поглощения излучения составляет а частота модуляции светового потока гармоническим сигналом составляет
Считать, что освещение проводится с узкой стороны образца, а регистрирующие контакты припаяны к широким торцам.
Контрольная работа №1
(Вариант № 4)
по дисциплине «Физические основы оптоэлектроники»
(Учебное пособие «Физические основы оптоэлектроники»,
Автор : В.Н. Давыдов
Томск - 2004 г.